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三星年初发布的Exynos 7420处理器，以其优异的性能和出色的功耗表现早已收获了广泛好评，采用14nm FinFET工艺，全面赶超同为旗舰级的骁龙810和苹果A8。如今，这颗芯片沿用在了全新三星Galaxy Note5上，带来更加成熟的工艺和更高的主频，使得我们更加期待这款芯片的表现。那么，这颗芯片的性能究竟有强悍？请跟随小编为您解读。

首先，我们来了解一下Exynos 7420处理器的详细参数，通过一些量化的指标有一个初步印象。

Exynos 7420 三星Exynos 7420 制程工艺 14 nm FinF 架构 ARMv8-A 64位架构 结构 四核A57+四核A5 频率 4x2.1GHz+4x1.5GHz 图形处理器 Mali-T760 MP8 图形频率 772MHz 类型 双通道LPDDR4 1600MHz 带宽 25.6GB/s 浮点运算 209.44 GFlops OpenGL ES .0 支持 可以看到，Exynos 7420采用了Cortex-A5 和Cortex-A57八核混合架构，最高主频可以达到2.1GHz。GPU方面，Exynos 7420采用了8核心的Mali-T760 MP8，频率为772MHz，最高内存带宽可达25.6GB/s。最关键在于三星制造Exynos 7420用到了业界最先进的14nm FinFET制造工艺，至于这项工艺的优势，笔者接下来就为您详细解读。

工艺制程

Exynos 7420处理器最大亮点在于使用了三星自己的14nm FinFET工艺制作，该工艺是目前手机处理器上最先进的之一，而Exynos 7420的竞争对手骁龙810和苹果A8使用的还是20nm工艺。工艺数值的减小，首先带来的是芯片裸片面积的减小，可以在寸土寸金的手机主板上节省出更多空间。当20nm工艺芯片还停留在100平方毫米以上时，Exynos 7420的面积已经大大缩小到了只有78平方毫米。

▲14nm FinFET工艺

更重要的是，14nm工艺有着功耗和发热上都有先天优势，其中功耗上相比上一代20nm处理器减少 0至 5%。更低的功耗意味着更低的发热，在功耗允许的情况下也能够尽可能提升频率，或者在同样频率下能够节省宝贵的电力，而在Exynos 7420这款处理器上面对于上面的特性都有一定的体现。

但若是晶体管之间距离太小则会导致芯片不同部分之间发生漏电流现象，而FinFET工艺为了解决该问题，会在两个传导通道之间加入一层很薄的硅 鳍 ，将晶体管由传统的平面结构变为 D结构，可在电路的两侧控制电路接通和断开，由此能够大幅度改善电路控制并减少漏电流。

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